[뉴스워커_산업기획] 코로나19 사태에 의한 충격 전망에도 초격차 전략 유지하는 삼성전자
[뉴스워커_산업기획] 코로나19 사태에 의한 충격 전망에도 초격차 전략 유지하는 삼성전자
  • 염정민 기자
  • 승인 2020.04.06 11:02
  • 댓글 0
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- 초격차 전략으로 위기 돌파하려는 삼성전자
그래픽_황성환 그래픽1팀 기자
그래픽_황성환 그래픽1팀 기자

지난 3월 17일 ‘삼성전자’는 기존 스마트폰 메모리인 ‘512GB eUFS 3.0’과 비교하여 연속 쓰기 속도가 3배 빠른 ‘512GB eUFS 3.1’를 본격 양산하는데 성공했다고 밝혔다.

특히 1200MB/s의 쓰기 속도를 구현할 수 있는 신형 메모리는 5GB급의 FHD 영화 한 편을 저장하는데 약 4초 정도가 소요될 정도로 속도가 빠른 것이 장점이다.


소제목 : 삼성전자 스마트폰 메모리 분야에서 초격차 전략 시동


1200MB/s의 연속 쓰기 속도를 구현할 수 있는 신형 512GB eUFS 3.1은 PC에 탑재되는 SATA SSD의 540MB/s보다 2배 이상 빠르며 UHS-I 마이크로SD 카드의 90MB/s보다는 10배 정도 빠른 것으로 파악된다.

이 같은 자료를 기준으로 신형 메모리를 사용할 경우 100GB의 데이터를 새 스마트폰으로 옮겨 저장하는 것에 약 1분 30초 정도만 소요될 것으로 예상되므로 해당 제품은 프리미엄 스마트폰 메모리 시장에서 성능에 관한 경쟁력을 확보할 수 있을 것으로 전망된다.

게다가 삼성전자에 따르면 신형 메모리는 2100MB/s의 연속 읽기 속도, 10만 IOPS의 임의 읽기 속도, 7만 IOPS의 임의 쓰기 속도를 구현할 수 있을 정도로 기존 메모리보다 성능이 향상되었기 때문에 8K 초고화질 영상을 원활히 시청할 수 있는 등의 장점이 있는 것으로 나타나 향후 프리미엄 스마트폰 시장에서 전망이 어둡지 않다는 평가가 나온다.

한편 지난 2월 25일 삼성전자는 ‘16GB LPDDR5 모바일 D램’의 본격적인 양산에 돌입했다고 발표한 바 있다.

이번에 개발된 신형 모바일 D램은 기존 하이엔드 모바일 D램인 ‘LPDDR4X’의 처리 속도보다 1.3배 빠른 5500Mb/s의 속도를 구현할 수 있고, 기존 8GB 모바일 D램보다 저장용량이 2배로 향상되었음에도 불구하고 소비전력은 20% 정도 절감한 특징을 가지고 있다.

삼성전자는 신형 모바일 램을 탑재한다면 8K급 UHD 초고해상도 VR 게임 구동 시에도 선명한 화질을 지원하는 것이 가능하며, 신형 모바일 D램이 보유한 16GB의 용량은 PC나 노트북에서 주로 사용되는 8GB D램보다 용량의 2배 정도로 커 스마트폰에서도 콘솔 게임 정도의 게임 성능을 즐길 수 있다고 설명했다.

삼성전자의 평택 캠퍼스 최신 라인에서는 LPDDR5 모바일 D램이 본격 양산되고 있으며 올 하반기에는 기존 대비 1.5배 빠른 16GB LPDDR5 제품이 본격 양산되어 스마트폰뿐만 아니라 프리미엄 PC와 자동차 시장에까지 진출할 수 있을 것으로 전망되고 있다.


D램 제조공정에도 EUV 노광기술 적용


지난 3월 25일 삼성전자는 EUV 노광 기술을 적용해 생산한 1세대 10나노급 DDR4 D램 모듈 100만개 이상을 글로벌 고객들에게 공급하여 평가를 완료했다고 밝혔다.

노광 공정은 빛을 이용하여 반도체의 원료인 웨이퍼에 회로 패턴을 새기는 공정인데 기존 10나노 공정으로 생산되는 반도체에는 193nm(나노미터) 파장의 ‘불화아르곤(ArF)’이 광원으로 주로 사용되었다.

반도체 기업들은 기존 불화아르곤 장비를 이용하여 패터닝 공정을 여러 번 반복하는 방식으로 반도체 제조 공정을 10나노 수준까지 발전시켰지만 10나노 이하의 공정에서는 패터닝 공정이 추가될 수밖에 없어 생산성이 크게 떨어진다는 평가가 나오게 됐다.

그러나 노광 공정에서 파장이 짧은 광원을 사용한다면 더욱 세밀한 공정이 가능하고 패터닝 공정 수를 줄여 생산성을 향상시킬 수 있기 때문에 기존 광원인 불화아르곤의 파장 193nm보다 10배 이상 파장이 짧은 EUV(극자외선)가 주목받게 됐다.

한편 삼성전자는 이미 지난 2월 20일 화성에 있는 EUV 전용 라인인 V1라인을 본격적으로 가동한다고 밝힌바 있었다.

또한 삼성전자는 EUV 기술을 적용하여 2019년 4월 업계 최초로 7나노 SoC 제품을 출하한 후 2019년 하반기에 6나노급 제품 생산 돌입과 5나노 공정의 제품 설계를 완료했으며 2020년 상반기에는 4나노 공정 개발을 마치고 하반기에 제품 설계를 완료할 계획이라고 덧붙였다.

이러한 배경 하에서 반도체 업계에서는 삼성전자가 EUV 기술이 적용된 반도체 제조 공정을 차세대 주력 공정으로 고려하고 있는 것이 아닌가 하는 주장까지 나오고 있는 상황이다.

그러나 앞선 삼성전자의 설명은 메모리 반도체가 아닌 파운드리 사업 분야에 관한 설명으로 받아들여졌으므로 이번에 메모리 반도체인 D램에 EUV 기술을 적용하여 본격적인 양산에 들어간 것에 더해 글로벌 고객사들의 평가까지 완료되었다는 소식은 업계의 주목을 끌고 있다.

이는 메모리 반도체의 경우 대량 생산되는 경우가 많아 생산성 향상이 기업의 경쟁력과 이익 향상에 직결되는 요소로 작용되는 경향이 강하기 때문으로 파악된다.

EUV 공정을 적용할 경우 기존 불화아르곤 공정을 적용할 때보다 생산성이 크게 향상될 것으로 기대되는데, 삼성전자에 따르면 EUV 기술을 적용해 생산한 4세대 10나노급 D램은 1세대 10나노급 D램보다 12인치 웨이퍼 기준으로 2배 높은 생산성을 확보할 수 있는 것으로 알려졌다.

또한 삼성전자는 EUV 노광 기술을 적용할 경우 패터닝 공정 수를 줄여 생산성을 높이는 동시에 패터닝 정확도를 높이게 되어 제품 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있다는 설명을 덧붙였다.

삼성전자의 설명대로라면 생산성과 수율을 높여 제품 생산 비용을 절감하는 동시에 제품 성능 향상과 제품 개발 기간 단축으로 향후 메모리 반도체 경쟁에서 삼성전자가 선두 지위를 고수할 수 있는 가능성이 커지게 된다.

이런 배경 하에 최근 코로나19 사태로 메모리 반도체 분야도 타격을 적지 않게 입을 가능성이 있지만, 삼성전자가 초격차 전략을 통해 경쟁자들과의 경쟁에서 우세한 위치를 유지할 수 있다는 전망도 아울러 나오고 있다.



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